Параметры товара:
-
Тип MOSFET
-
Тип проводимости N
-
Максимальное напряжение стабилизации, В 500
-
Максимальный ток стока Id (при Tc=25C), А 5
-
Минимальное сопротивление открытого канала (Rds on), мОм 1800
-
Емкость, пФ 415
-
Заряд затвора, нКл 13
-
Диапазон рабочих температур, °C -55…+150 °С
-
Вес брутто 0.58
-
Тип монтажа поверхностный (SMT)
-
Корпус TO-252 (DPAK)
-
Упаковка REEL, 2500 шт.
HXY5N50D N-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Напряжение сток-исток 500 Вольт, максимальный ток стока 5 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 1.8 Ом (при Vgs =10 В, Id = 2 А). Входная ёмкость 415 пФ. Заряд затвора 13 нКл