Параметры товара:
-
Тип MOSFET
-
Тип проводимости N
-
Максимальное напряжение стабилизации, В 20
-
Максимальный ток стока Id (при Tc=25C), А 60
-
Минимальное сопротивление открытого канала (Rds on), мОм 6
-
Емкость, пФ 2000
-
Заряд затвора, нКл 27
-
Диапазон рабочих температур, °C -55…+150 °С
-
Вес брутто 0.55
-
Транспортная упаковка: размер/кол-во 44*44*22/5000
-
Тип монтажа поверхностный (SMT)
-
Корпус TO-252 (DPAK)
-
Упаковка REEL, 2500 шт.
HXY60N02D N-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Напряжение сток-исток 20 Вольт, максимальный ток стока 60 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 6 мОм (при Vgs=4.5 В, Id = 20 А). Входная ёмкость 2000 пФ. Заряд затвора 27 нКл.