Параметры товара:
-
Тип MOSFET
-
Тип проводимости N
-
Максимальное напряжение стабилизации, В 30
-
Максимальный ток стока Id (при Tc=25C), А 80
-
Минимальное сопротивление открытого канала (Rds on), мОм 6,8
-
Емкость, пФ 1160
-
Заряд затвора, нКл 11,1
-
Диапазон рабочих температур, °C -55…+150 °С
-
Вес брутто 0.56
-
Транспортная упаковка: размер/кол-во 44*44*22/7500
-
Тип монтажа поверхностный (SMT)
-
Корпус TO-252 (DPAK)
-
Упаковка REEL, 2500 шт.
HXY80N03D N-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Напряжение сток-исток 30 Вольт, максимальный ток стока 80 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 6.8 мОм (при Vgs=10 В, Id = 20 А). Входная ёмкость 1160 пФ. Заряд затвора 11.1 нКл.